[实用新型]带有缓冲装置的硅片清洗篮安插底槽有效
| 申请号： | 200820199426.4 | 申请日： | 2008-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN201270245Y | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 尹吉星 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/00;B08B3/04 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 | 代理人： | 杨志宇 |
| 地址： | 338000江西省新余市高新*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体领域的一种硅片清洗篮的部件，特别是带有缓冲装置的硅片清洗篮安插底槽。本实用新型提供了一种不容易损伤硅片的带有缓冲装置的硅片清洗篮安插底槽，其中：缓冲装置活动的设置在可以接触硅片底部的清洗篮安插底槽的外表面。带有缓冲装置的硅片清洗篮安插底槽可以缓冲硅片和清洗篮的槽齿、槽口的接触部分之间的碰撞和摩擦，可以减少或避免硅片在清洗过程中造成损伤，提高硅片质量。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 缓冲 装置 硅片 清洗 安插 | ||
【主权项】：
1、一种带有缓冲装置的硅片清洗篮安插底槽，其特征在于：缓冲装置(3)活动的设置在可以接触硅片(2)底部的清洗篮安插底槽的外表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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