[实用新型]2N阶伽玛产生电路无效
| 申请号： | 200820212300.6 | 申请日： | 2008-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN201311768Y | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 管少钧;龚夺;何志强;杨云;冯卫 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/36 | 分类号： | G09G3/36;G02F1/133 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种2N(N为大于或等于1的正整数)阶伽玛产生电路，包括N阶伽玛电压产生电路和运算电路，其中所述的运算电路包括：存储FRC调制数据的SRAM存储器；与SRAM存储器连接、对所述FRC调制数据进行FRC调制处理的FRC调制模块；分别与FRC调制模块连接、N阶伽玛电压产生电路及地连接的根据FRC调制模块处理后的数据选择电压输出的选择器。本实用新型利用具有FRC调制功能的运算电路，只需要N阶伽玛电压产生电路所需电阻就能实现2N阶伽玛电压，减少了2N阶伽玛电压产生电路使用的电阻数量，减少伽玛电压产生电路所占的芯片面积，达到节省芯片面积的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 阶伽玛 产生 电路 | ||
【主权项】：
1、一种2N阶伽玛电压产生电路，所述N为大于或等于1的正整数，包括N阶伽玛电压产生电路和运算电路，其特征在于所述的运算电路包括：存储FRC调制数据的SRAM存储器；与SRAM存储器连接、对所述FRC调制数据进行FRC调制处理的FRC调制模块；分别与FRC调制模块连接、N阶伽玛电压产生电路及地连接的根据FRC调制模块处理后的数据选择电压输出的选择器。
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