[实用新型]基于SOI的连续薄膜式微变形镜无效
| 申请号： | 200820228469.0 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN201331623Y | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 乔大勇;苑伟政;田力;李晓莹;燕斌 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | G02B26/08 | 分类号： | G02B26/08 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 顾潮琪 |
| 地址： | 710072陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于SOI的连续薄膜式微变形镜，基底层、绝缘层和器件层为一张SOI硅片的三层结构，基底层处于结构最上方，向下依次为绝缘层和器件层；对器件层进行刻蚀后余下的体硅薄膜作为微镜镜面，而刻蚀的凹槽在SOI硅片与玻璃基底键合后形成镜面至驱动电极的空腔，镜面上方的基底层和绝缘层则以与器件层刻蚀凹槽相同的形状和位置作穿透刻蚀，使镜面露出，驱动电极分布在镜面至驱动电极的空腔中，由溅射在玻璃基底上的金属经过刻蚀得到。本实用新型避免了表面质量缺陷，镜面厚度得到有效的控制，大幅度的提高了变形镜可调制光波波长的范围，保留了原材料所具有的高表面质量。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 连续 薄膜 式微 变形 | ||
【主权项】：
1、基于SOI的连续薄膜式微变形镜，包括SOI硅片的基底层、绝缘层和器件层，以及变形镜的镜面、镜面至驱动电极的空腔、驱动电极和玻璃基底，其特征在于：所述的基底层、绝缘层和器件层为一张SOI硅片的三层结构，基底层处于结构最上方，向下依次为绝缘层和器件层；对器件层进行刻蚀后余下的体硅薄膜作为微镜镜面，而刻蚀的凹槽在SOI硅片与玻璃基底键合后形成镜面至驱动电极的空腔，镜面上方的基底层和绝缘层则以与器件层刻蚀凹槽相同的形状和位置作穿透刻蚀，使镜面露出，驱动电极分布在镜面至驱动电极的空腔中，由溅射在玻璃基底上的金属经过刻蚀得到。
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