[实用新型]集成电路组件层叠结构有效
申请号: | 200820301077.2 | 申请日: | 2008-06-10 |
公开(公告)号: | CN201243016Y | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 马嵩荃;梁裕民 | 申请(专利权)人: | 讯忆科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L25/065;H01L25/18;H01L23/48 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 何 为 |
地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种集成电路组件层叠结构,包含其周缘设有多数第一缺口的第一晶粒,该第一晶粒上设有第一传导区、及连接各第一缺口与第一传导区的第一布线区;以及层叠于第一晶粒一面上的第二晶粒,该第二晶粒的周缘设有与该第一传导区对应的第二缺口,该第一传导区与第二缺口间设有导通介质,并于该第二晶粒上设有第二传导区、及连接各第二缺口与第二传导区的第二布线区。藉此,可利用第一晶粒与第二晶粒的层叠配合,而将所需的系统整合于第一及第二晶粒上,除可增加集成电路组件布局的灵活性外,亦可达到易于制作以及特性稳定的功效。 | ||
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【主权项】:
【权利要求1】一种集成电路组件层叠结构,其包括第一晶粒和第二晶粒,该第二晶粒层叠于第一晶粒的一面上,其特征在于:所述第一晶粒周缘设有多数第一缺口,且该第一晶粒上设有第一传导区、及连接各第一缺口与第一传导区的第一布线区;该第二晶粒的周缘设有与该第一传导区对应的第二缺口,该第一传导区与第二缺口间设有导通介质,并于该第二晶粒上设有第二传导区、及连接各第二缺口与第二传导区的第二布线区。
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