[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200880000106.4 | 申请日： | 2008-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101542699A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 山川真弥 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王安武;南 霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件，其中可有效地将应力从格子常数与半导体衬底不同的半导体层施加到通道部分，由此提高载体移动度，并实现更高功能性。半导体器件(1)设置有栅电极(7)，其通过栅绝缘膜(5)布置在半导体衬底(3)上；以及半导体层(应力施加层)(9)，其通过外延生长形成在半导体衬底(3)的表面、栅电极(7)的两侧的凹部处。半导体层(9)是格子常数与半导体衬底(3)不同的层，并且栅绝缘膜(5)和栅电极(7)布置成填埋半导体衬底(3)上半导体层(9)之间的凹部。栅绝缘膜(5)距半导体衬底(3)的表面的深度位置(d2)小于半导体层(9)的深度位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于包括：栅电极，其经由栅绝缘膜设置在半导体衬底上；以及应力施加层，其用于将应力施加到所述栅电极下的通道部分；其中，所述应力施加层设置在比所述半导体衬底在所述栅电极两侧的表面更深的位置处，并且在填充通过下挖所述半导体衬底在所述应力施加层之间的表面而形成的部分的状态下设置所述栅绝缘膜和所述栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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