[发明专利]肖特基势垒二极管及其产生方法无效
| 申请号： | 200880000260.1 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101542736A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 宫崎富仁;木山诚 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林月俊;安 翔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种具有外延生长层的肖特基势垒二极管，该外延生长层形成在衬底上并且具有台面部分，肖特基电极形成在台面部分上。肖特基电极的边缘和台面部分的顶表面边缘之间的距离为2μm或者更小。因为距离(x)是2μm或者更小，因此提供了具有显著地降低的泄露电流、提高的击穿电压、以及优良反向击穿电压特性的肖特基势垒二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 及其 产生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基势垒二极管，包括：具有台面部分的半导体层；和置于所述台面部分的顶表面上的肖特基电极，其中，所述肖特基电极的侧边缘和所述台面部分的顶表面边缘之间的距离是预定值或者更小。
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