[发明专利]氮化物半导体发光器件以及氮化物半导体发光器件的制造方法

摘要

提供有源层(17)以使得发射具有440nm至550nm范围的发射波长的光。第一导电类型氮化镓半导体区域(13)、有源层(17)和第二导电类型氮化镓半导体区域(15)沿着预定轴Ax的方向设置。有源层(17)包括由六方晶系的In_xGa_1-xN(0.16≤x≤0.4，x：应变组分)的阱层，铟组成x由应变组分表示。六方晶系的In_xGa_1-xN的m平面沿着预定轴Ax被定向。阱层的厚度在大于3nm且小于或等于20nm之间。使阱层的厚度超过3nm，能够制造具有发射波长超过440nm的发光器件。

主权项

1.一种氮化物半导体发光器件，具有：第一导电类型氮化镓半导体区域；第二导电类型氮化镓半导体区域；以及有源层，提供在所述第一导电类型氮化镓半导体区域和所述第二导电类型氮化镓半导体区域之间，所述有源层被设置成能够发射发射波长在440nm以上到550nm以下的范围内的光，所述发光器件的特征在于：所述有源层包括由六方晶系的InxGa1-xN构成的阱层，其中0.16≤x≤0.4，铟组成x：应变组分，所述阱层的厚度D大于3nm，所述阱层的厚度D为20nm或更小，所述厚度D与铟组成x的关系为x≥-0.16×D+0.88，所述第一导电类型氮化镓半导体区域、所述有源层和所述第二导电类型氮化镓半导体区域被沿着一预定轴布置，以及所述六方晶系的InxGa1-xN的m平面被沿着所述预定轴定向。