[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200880000598.7 | 申请日： | 2008-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN101542743A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木雄一朗;冈下胜己;中本圭一;金田久隆;水野文二 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在鳍形半导体区域的半导体装置中能够获得所要的特性。使栅极绝缘膜(62)形成为跨过在上部具有杂质区域(61a)和在侧部具有杂质区域(61b)的鳍形半导体区域(61)。在位于栅极绝缘膜(62)外侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r′大于位于栅极绝缘膜(62)下侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r、并且为2r以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：该半导体装置具备：在衬底上形成并且具有上表面及侧面的第一半导体区域，在所述第一半导体区域的上部形成的第一导电型的第一杂质区域，在所述第一半导体区域的侧部形成的第一导电型的第二杂质区域，以及形成为至少覆盖所述第一半导体区域的规定部分中的侧面及上部角的栅极绝缘膜；位于所述栅极绝缘膜外侧部分的所述第一半导体区域的上部角的曲率半径r′大于位于所述栅极绝缘膜下侧部分的所述第一半导体区域的上部角的曲率半径r、并且曲率半径r′为2r以下。
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