[发明专利]半导体激光装置

摘要

本发明公开了一种半导体激光装置。该半导体激光装置具有形成在基板(1)的主面上且由III族氮化物半导体构成的包含MQW活性层(5)的叠层结构体。叠层结构体具有形成在该叠层结构体的主面的条状波导路，波导路的彼此相向的端面中的一个是光射出端面。在凹部(2)的周围形成有第一区域和第二区域，该第一区域是MQW活性层(5)中禁带宽度为Eg1的区域，该第二区域是MQW活性层(5)中禁带宽度为Eg2的区域，且与该第一区域邻接，而且Eg2≠Eg1。所形成的波导路包含第一区域及第二区域，且不包含台阶区域，光射出端面形成在第一区域及第二区域中光吸收波长较短的那个区域(5a)。

主权项

1.一种半导体激光装置，具有包含活性层且选择性地形成有台阶区域的叠层结构体，该叠层结构体的各层分别由III族氮化物半导体形成，其特征在于：所述叠层结构体，具有在与该叠层结构体的主面平行的面内延伸的条状波导路，所述波导路的彼此相向的端面的至少之一是光射出端面，在所述台阶区域的周围形成有第一区域和第二区域，该第一区域是所述活性层中禁带宽度为Eg1的区域，该第二区域是所述活性层中禁带宽度为Eg2的区域，且与该第一区域邻接，而且Eg2≠Eg1，所述波导路形成为：包含所述第一区域及第二区域，并且不包含所述台阶区域，所述光射出端面，形成在所述第一区域及第二区域中光吸收波长较短的那个区域。