[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200880001207.3 | 申请日： | 2008-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101578705A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 林将志;宇都宫和哉;楠本修 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体装置包括：具有碳化硅半导体层的碳化硅半导体基板；设置在前述碳化硅半导体层中、并含有p型杂质的p型杂质区；与前述p型杂质区电连接的p型欧姆电极；与前述p型杂质区邻接地设置在前述碳化硅半导体层中、且含有n型杂质的n型杂质区；和与前述n型杂质区电连接的n型欧姆电极，前述p型欧姆电极含有镍、铝、硅和碳的合金，前述n型欧姆电极含有钛、硅和碳的合金。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，包括：具有碳化硅半导体层的碳化硅半导体基板；设置在前述碳化硅半导体层中、含有p型杂质的p型杂质区；与前述p型杂质区电连接的p型欧姆电极；与前述p型杂质区邻接地设置在前述碳化硅半导体层中、含有n型杂质的n型杂质区；和与前述n型杂质区电连接的n型欧姆电极；前述p型欧姆电极含有镍、铝、硅和碳的合金，前述n型欧姆电极含有钛、硅和碳的合金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880001207.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用室外空气冷却室内装置的方法
- 下一篇：主板供电电路
- 同类专利
- 专利分类
