[发明专利]挠性半导体装置的制造方法及挠性半导体装置有效
| 申请号： | 200880001319.9 | 申请日： | 2008-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN101569001A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 平野浩一;中谷诚一;小松慎五;山下嘉久;一柳贵志 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786;H01L51/05 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种挠性半导体装置的制造方法及挠性半导体装置。准备由三层覆箔形成的叠层膜，该三层覆箔是第一金属层(23)、第二金属层(25)及夹在该第一金属层和第二金属层之间的无机绝缘膜(35)叠层而成的，蚀刻所述第二金属层的一部分形成栅电极(20g)后，再蚀刻所述第一金属层的一部分，在与该栅电极对应的部位形成源、漏电极(20s、20d)。然后，隔着无机绝缘膜(35)在所述栅电极上形成与源、漏电极(20s、20d)接触的半导体层(40)。在此，栅电极(20g)上的无机绝缘膜(35)作为栅极绝缘膜(30)发挥作用，所述无机绝缘膜上的位于源、漏电极(20s、20d)间的半导体层(40)作为沟道发挥作用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种挠性半导体装置的制造方法，该挠性半导体装置包括薄膜晶体管，其特征在于：该挠性半导体装置的制造方法，包括：工序a，准备由三层覆箔形成的叠层膜，该三层覆箔是第一金属层、第二金属层以及夹在该第一金属层和第二金属层之间的无机绝缘膜叠层而成的，工序b，蚀刻所述第二金属层的一部分，来形成栅电极，工序c，蚀刻所述第一金属层的一部分，在与所述栅电极对应的部位形成源、漏电极，以及工序d，以与所述源、漏电极接触的方式，隔着所述无机绝缘膜在所述栅电极上形成半导体层；所述栅电极上的所述无机绝缘膜作为栅极绝缘膜发挥作用，所述无机绝缘膜上的位于所述源、漏电极间的所述半导体层作为沟道发挥作用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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