[发明专利]硅化物形成方法及系统

摘要

经由导入孔将等离子体生成室中的自由基供给到处理室，并且从自由基导入孔附近供给作为处理气体的HF气体。去除掺有杂质的IV族半导体的基板表面的自然氧化膜，并且具有等于湿清洁的良好的表面粗糙度。对表面处理后的基板沉积金属材料，并且进行通过热处理的金属硅化物形成，在这些处理期间，基板不暴露于大气，并且获得了等于或优于湿处理的良好的接触电阻。

主权项

1.一种在由掺有B或P或As的杂质的IV族半导体材料制成的基板表面上形成金属硅化物层的方法，该方法包括：在等离子体生成室内将含有HF的等离子体生成气体转变为等离子体，有选择地将所述等离子体中的自由基从所述等离子体生成室导入到清洁室中，并且将含有气体比为0.6以上的未激发的HF的处理气体导入到所述清洁室中，从而在所述自由基和所述处理气体的混合气氛中清洁所述基板；在不使清洁过的所述基板暴露于大气的情况下将清洁过的所述基板从所述清洁室输送到溅射室，并且在所述溅射室内在清洁过的基板表面上生长由金属材料制成的金属溅射层；以及在不使具有所述金属溅射层的所述基板暴露于大气的情况下将所述基板从所述溅射室输送到退火室，并且在所述退火室内通过对所述基板表面的所述金属溅射层进行加热而将所述金属溅射层改变为硅化物。