[发明专利]薄膜及发光装置有效

专利信息
申请号: 200880001505.2 申请日: 2008-11-12
公开(公告)号: CN101578537A 公开(公告)日: 2009-11-11
发明(设计)人: 西胁青儿 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G02B5/02 分类号: G02B5/02;G02B5/18;B32B3/30;H01L51/50;H05B33/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种薄膜及发光装置。发光装置具有在透明基板(5)表面的表面结构(13),用最大内切圆的直径在0.2μm以上且1.5μm以下的微小区域假想地无间隙地对该透明基板(5)进行分割,各个微小区域在透明基板(5)的表面上呈凸形状或凹形状,是凸还是凹的比率分别为P、1-P,P在从0.4到0.98的范围内。因此,本发明提供一种薄膜及发光装置,让临界角以上的对透明基板的入射光射出,实现取光效率的大幅度提高,同时,防止外来光映入,抑制方位不同产生光强度的强弱分布,色彩失去平衡等。
搜索关键词: 薄膜 发光 装置
【主权项】:
1、一种薄膜,使用时让该薄膜的一个面与发光体相邻接,该薄膜透明,其特征在于:该薄膜的另一个面假想地被最大内切圆的直径在0.2μm以上且1.5μm以下的多个微小区域δ分割,且一个该微小区域δ与其它多个该微小区域δ相邻且被其它多个该微小区域δ包围,所述多个微小区域δ由以40%以上且98%以下的比率从该多个微小区域δ中选出的多个微小区域δ1、和除了该多个微小区域δ1以外的多个微小区域δ2构成,所述微小区域δ1,相对于与所述另一个面平行的规定的基准面朝着所述另一个面的上方突出,突出高度是d/2,所述微小区域δ2,相对于所述规定的基准面朝着所述另一个面的下方凹陷,凹陷深度是d/2,所述规定的基准面位于所述微小区域δ1和所述微小区域δ2的在与所述另一个面垂直的方向上的中间位置,所述d在0.2μm以上且1.4μm以下。
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