[发明专利]光电池用二硅化铁的提纯方法与材料无效
申请号: | 200880001622.9 | 申请日: | 2008-09-18 |
公开(公告)号: | CN101578693A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | 弗雷德里·维克·梅库莱克;高宾生;霍华德·W·H·李 | 申请(专利权)人: | STION太阳能电池有限公司 |
主分类号: | H01L21/44 | 分类号: | H01L21/44 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 蔡胜有;吴亦华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种光电池装置用二硅化铁的制作方法。所述方法包括提供一至少包括一α相实体、一β相实体与一ε相实体的二硅化铁第一样品,所述方法包括在惰性环境中保持所述二硅化铁第一样品,以及加热所述二硅化铁第一样品以形成二硅化铁第二样品。所述二硅化铁第二样品基本包括β相二硅化铁且具有第一粒径的特征。所述方法包括在二硅化铁第二样品中加入有机溶剂,形成含有二硅化铁第二样品与有机溶剂的材料的第一混合物,并对含有二硅化铁第二样品的材料的第一混合物进行研磨加工。所述方法包括将具有第一粒径的二硅化铁第二样品转换为具有第二粒径的二硅化铁第三样品。除去有机溶剂,得到以具有第二粒径且β相实体含量为大约90%或更高为特征的二硅化铁第三样品。 | ||
搜索关键词: | 光电池 用二硅化铁 提纯 方法 材料 | ||
【主权项】:
1.一种光电池装置用二硅化铁的制作方法,所述方法包括:提供至少包括一α相实体、一β相实体与一ε相实体的二硅化铁第一样品,所述α相实体的范围大约为全相实体的5%到20%,所述β相实体范围大约为全相实体的30%到75%,以及ε相实体范围大约为全相实体的5%到20%;在惰性环境中保持二硅化铁第一样品;保持在惰性环境中对所述二硅化铁第一样品进行加热,以形成二硅化铁第二样品。所述二硅化铁第二样品基本包括β相二硅化铁并具有范围为大约1微米到大约20微米的第一粒径特征;在所述二硅化铁第二样品中加入有机溶剂,以形成含有二硅化铁第二样品与有机溶剂的材料的第一混合物;对含二硅化铁第二样品的材料的第一混合物进行研磨加工,将具有第一粒径的二硅化铁第二样品转换为具有第二粒径的二硅化铁第三样品,所述第二粒径范围为大约1微米到大约2微米;从二硅化铁第三样品中除去有机溶剂;得到具有第二粒径特征且β相实体大于大约90%的二硅化铁第三样品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造