[发明专利]光电池用二硅化铁的提纯方法与材料无效

专利信息
申请号: 200880001622.9 申请日: 2008-09-18
公开(公告)号: CN101578693A 公开(公告)日: 2009-11-11
发明(设计)人: 弗雷德里·维克·梅库莱克;高宾生;霍华德·W·H·李 申请(专利权)人: STION太阳能电池有限公司
主分类号: H01L21/44 分类号: H01L21/44
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 蔡胜有;吴亦华
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种光电池装置用二硅化铁的制作方法。所述方法包括提供一至少包括一α相实体、一β相实体与一ε相实体的二硅化铁第一样品,所述方法包括在惰性环境中保持所述二硅化铁第一样品,以及加热所述二硅化铁第一样品以形成二硅化铁第二样品。所述二硅化铁第二样品基本包括β相二硅化铁且具有第一粒径的特征。所述方法包括在二硅化铁第二样品中加入有机溶剂,形成含有二硅化铁第二样品与有机溶剂的材料的第一混合物,并对含有二硅化铁第二样品的材料的第一混合物进行研磨加工。所述方法包括将具有第一粒径的二硅化铁第二样品转换为具有第二粒径的二硅化铁第三样品。除去有机溶剂,得到以具有第二粒径且β相实体含量为大约90%或更高为特征的二硅化铁第三样品。
搜索关键词: 光电池 用二硅化铁 提纯 方法 材料
【主权项】:
1.一种光电池装置用二硅化铁的制作方法,所述方法包括:提供至少包括一α相实体、一β相实体与一ε相实体的二硅化铁第一样品,所述α相实体的范围大约为全相实体的5%到20%,所述β相实体范围大约为全相实体的30%到75%,以及ε相实体范围大约为全相实体的5%到20%;在惰性环境中保持二硅化铁第一样品;保持在惰性环境中对所述二硅化铁第一样品进行加热,以形成二硅化铁第二样品。所述二硅化铁第二样品基本包括β相二硅化铁并具有范围为大约1微米到大约20微米的第一粒径特征;在所述二硅化铁第二样品中加入有机溶剂,以形成含有二硅化铁第二样品与有机溶剂的材料的第一混合物;对含二硅化铁第二样品的材料的第一混合物进行研磨加工,将具有第一粒径的二硅化铁第二样品转换为具有第二粒径的二硅化铁第三样品,所述第二粒径范围为大约1微米到大约2微米;从二硅化铁第三样品中除去有机溶剂;得到具有第二粒径特征且β相实体大于大约90%的二硅化铁第三样品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于STION太阳能电池有限公司,未经STION太阳能电池有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880001622.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top