[发明专利]改性钙钛矿型复合氧化物、其制造方法和复合电介质材料无效
申请号: | 200880002531.7 | 申请日: | 2008-01-16 |
公开(公告)号: | CN101583568A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | 成重尚昭;田边信司 | 申请(专利权)人: | 日本化学工业株式会社 |
主分类号: | C01G25/00 | 分类号: | C01G25/00;C01G23/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种改性钙钛矿型复合氧化物、其制造方法和使用该氧化物的复合电介质材料,该改性钙钛矿型复合氧化物中,钙钛矿型复合氧化物的A位金属的溶出得到有效抑制,特别适于用作复合电介质的无机填料。本发明的改性钙钛矿型复合氧化物的特征在于,该改性钙钛矿型复合氧化物是用二氧化硅对钙钛矿型复合氧化物的颗粒表面进行第一次被覆处理后,再用偶联剂进行第二次被覆处理而得到的改性钙钛矿型复合氧化物,上述二氧化硅的第一被覆处理层是在800~1200℃的温度下对使四烷氧基硅烷水解而得到的水解二氧化硅进行加热处理而生成的层。 | ||
搜索关键词: | 改性 钙钛矿型 复合 氧化物 制造 方法 电介质 材料 | ||
【主权项】:
1.一种改性钙钛矿型复合氧化物,其特征在于:其为用二氧化硅对钙钛矿型复合氧化物的颗粒表面进行第一次被覆处理后、再用偶联剂进行第二次被覆处理而得到的改性钙钛矿型复合氧化物,所述二氧化硅的第一次被覆处理层是在800~1200℃的温度下对使四烷氧基硅烷水解而得到的水解二氧化硅进行加热处理而生成的层。
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