[发明专利]形成贯穿衬底的互连的方法

摘要

在形成至少一个贯穿衬底的互连的方法的一个实施例中，提供具有第一表面(202)和相对的第二表面(204)的半导体衬底(200)。在半导体衬底中形成至少一个开口(210)，从第一表面延伸到半导体衬底内的中间深度。该至少一个开口由底部(216)部分地限定。在底部上提供至少一个金属催化剂纳米颗粒(220)。在金属催化剂纳米颗粒促进半导体材料(222)的沉积的情况下，在该至少一个开口内沉积导电材料。可以从第二表面去除半导体衬底的材料，以露出填充该至少一个开口的导电材料的一部分(图3K)。在另一实施例中，不使用纳米颗粒，而是选择导电材料来选择性地沉积在部分地限定该至少一个开口的底部上。

主权项

1.一种形成至少一个贯穿衬底的互连(110、111、112、126)的方法，该方法包括：提供具有第一表面(202)和相对的第二表面(204)的半导体衬底(200)；在所述半导体衬底中形成至少一个开口(210)，所述至少一个开口从所述第一表面延伸到所述半导体衬底内的中间深度，所述至少一个开口由底部(216)部分地限定；在所述底部上提供至少一个金属催化剂纳米颗粒(220)；在所述金属催化剂纳米颗粒促进导电材料(222)的沉积的条件下，在所述至少一个开口内沉积导电材料；从所述第二表面去除所述半导体衬底的材料，以露出填充所述至少一个开口的所述导电材料(图3K中的222)的一部分。