[发明专利]用于调整电容耦合RF等离子体反应器中的电极空隙的装置有效
| 申请号： | 200880002547.8 | 申请日： | 2008-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN101584026A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 拉金德尔·德辛德萨;艾瑞克·H·伦兹;安迪·W·德塞普特;李路民 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/32 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种等离子体处理室包括配置为平衡大气压负载的悬臂组件。该室包括围绕内部区域并在其中有开口的壁。悬臂组件包括用于在该室内支撑基板的基板支架。该悬臂组件延伸穿过该开口以便一部分位于该室的外部。该室包括致动机构，该致动机构可操作以使该悬臂组件相对于该壁移动。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 调整 电容 耦合 rf 等离子体 反应器 中的 电极 空隙 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，包含：室，包含围绕内部区域并有开口的壁；悬臂组件包含：臂单元，延伸穿过该壁的该开口且具有位于该内部区域外部的外部部分；以及基板支架，在该臂单元上且设置于该内部区域内；致动机构，耦合于该臂单元的该外部部分且可操作以使该悬臂组件相对于该壁运动；以及至少一个真空隔离构件，密封由该臂单元的该外部部分和该壁部分围绕，并与该内部区域流体连通的空间，该真空隔离构件为该空间提供真空隔离以便该悬臂组件上的大气压负载被平衡。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880002547.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
