[发明专利]复合磁性体及其制造方法、使用复合磁性体的电路板以及使用复合磁性体的电子设备无效

专利信息
申请号: 200880002769.X 申请日: 2008-01-22
公开(公告)号: CN101589443A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 大见忠弘;寺本章伸;石塚雅之;日高宣浩;白方恭 申请(专利权)人: 国立大学法人东北大学;住友大阪水泥股份有限公司;株式会社友华
主分类号: H01F1/26 分类号: H01F1/26;H01F1/147;H01F1/24;H01F1/37;H01F41/02;H05K1/02;H05K1/03;H05K9/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供在数百MHz~数GHz的频率下磁损耗足够小的复合磁性体及其制造方法。在将磁性粉末分散在绝缘性材料中而构成的复合磁性体中,所述磁性粉末为球状或扁平状,所述复合磁性体具有下面的(a)~(c)中的任意一种特性。(a)1GHz或500MHz的频率下,相对磁导率μr大于1,并且介质损耗角正切tanδ为0.1以下,(b)在1.2GHz以下的频率下的复磁导率的实部μr’大于10,且介质损耗角正切tanδ为0.3以下,以及(c)复磁导率的实部μr’在4GHz以下的频率下大于1,且在1GHz以下的频率下介质损耗角正切tanδ为0.1以下。
搜索关键词: 复合 磁性 及其 制造 方法 使用 电路板 以及 电子设备
【主权项】:
1、一种复合磁性体,其是将磁性粉末分散在绝缘性材料中而构成的复合磁性体,其特征在于,所述磁性粉末为球状或扁平状,所述复合磁性体具有下述(a)~(c)中的任意一种特性:(a)在1GHz或500MHz的频率下,相对磁导率μr大于1,且介质损耗角正切tanδ为0.1以下;(b)在1.2GHz以下的频率下的复磁导率的实部μr’大于10,且介质损耗角正切tanδ为0.3以下;以及(c)在4GHz以下的频率下复磁导率的实部μr’大于1,且在1GHz以下的频率下介质损耗角正切tanδ为0.1以下。
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