[发明专利]使用自组装聚合物进行亚光刻互连构图的方法有效
| 申请号： | 200880002859.9 | 申请日： | 2008-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101611349A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | W-K·李;H·S·杨 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03C5/00 | 分类号： | G03C5/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于 静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明旨在一种使用自组装聚合物在半导体结构中形成亚光刻特征的方法。在硬掩模中的开口中形成自组装聚合物，对其退火然后蚀刻，之后蚀刻下伏的电介质材料。根据该方法形成至少一个亚光刻特征。还公开了一种中间半导体结构，其中至少一个互连布线特征具有由自组装嵌段共聚物限定的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 组装 聚合物 进行 光刻 互连 构图 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体器件结构(10)中形成构图的特征的方法，包括以下步骤：(a)在所述半导体器件结构的表面上形成构图的掩模层(20)，其中所述构图的掩模层包括至少一个掩模开口(24，26)；(b)在所述构图的掩模层上和所述至少一个掩模开口中施加嵌段共聚物(28)的层，所述嵌段共聚物包括彼此不混溶的第一和第二聚合物嵌段成分；(c)对所述嵌段共聚物层退火，以在所述至少一个掩模开口内部形成聚合物嵌段图形，其中所述聚合物嵌段图形包括嵌入在聚合物基体中的所述第二聚合物嵌段成分(32)，所述聚合物基体包括所述第一聚合物嵌段成分(30)；(d)从所述第一聚合物嵌段成分中选择性去除所述第二聚合物嵌段成分，以在所述至少一个掩模开口内部的所述聚合物基体中形成开口(34)；以及(e)使用所述共聚物的开口和所述至少一个掩模开口，构图所述半导体器件结构。
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