[发明专利]FLOTOX型EEPROM无效
| 申请号： | 200880003209.6 | 申请日： | 2008-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101595555A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 关口勇士 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L29/788;H01L27/115;H01L29/792;G11C16/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘 建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在W单元方式的FLOTOX型EEPROM的设计中，由于微型化的缘故，存在必须精心设计单元的布局的这一课题。因此，为了设计出W单元方式的FLOTOX型EEPROM，设置：成对的2个浮栅(25a、25b)；2个隧道窗(30a、30b)；共享的源极(27)；共享的控制栅(26)；和选择栅(29a、29b)，并将漏极(28)设为共享。由此，可以实现高可靠性设计与高耐压性设计得以实现的W单元方式的FLOTOX型EEPROM。 | ||
| 搜索关键词： | flotox eeprom | ||
【主权项】：
1.一种W单元方式的FLOTOX型EEPROM，将1个数据用2个单元来存储，其特征为，包括：成对的2个浮栅；与各浮栅关联地分别设置的2个隧道窗；以被2个浮栅共享的方式设置的1个控制栅；与控制栅协同工作、用于选择2个浮栅而以被2个浮栅共享的方式设置的1个选择栅；以被2个浮栅共享的方式设置的1个漏极；和以被2个浮栅共享的方式设置的1个源极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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