[发明专利]具有用于时序控制的虚位线的存储器有效

专利信息
申请号: 200880003292.7 申请日: 2008-01-24
公开(公告)号: CN101617369A 公开(公告)日: 2009-12-30
发明(设计)人: M·W·杰顿;L·F·奇尔德斯;O·R·鲁;格伦·E·斯塔尼斯 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: G11C11/00 分类号: G11C11/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 刘 倜
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供一种具有至少一个存储器阵列块(10)的存储器,该至少一个存储器阵列块(10)包括N个字线,其中N大于1。该存储器包括耦合到至少一个存储器阵列块(10)的多个感测放大器(28、29)。该存储器还包括至少一个虚位线(40、41),其中该至少一个虚位线(40、41)包括M个位单元(42、43),其中M与N相等。该存储器还包括耦合到该至少一个虚位线(40、41)的时序电路(20),其中该时序电路(20)包括耦合到感测电路(70)的至少一个堆叠下拉晶体管(60、61),该感测电路(70)用于生成用于存储器存取的时序控制的锁存器控制输出信号(104)。时序控制可以包括生成用于读取操作的感测触发信号(44)以使能多个感测放大器(28、29)和/或生成用于终止存储器存取的局部复位信号(100),例如禁用用于写入操作的多个写入驱动器(26、27)。
搜索关键词: 具有 用于 时序 控制 虚位 存储器
【主权项】:
1.具有至少一个存储器阵列块的存储器,该至少一个存储器阵列块包括N个字线,其中N大于1,该存储器包括:耦合到该至少一个存储器阵列块的多个感测放大器;至少一个虚位线,其中所述至少一个虚位线包括M个虚位单元,其中M与N相等;以及耦合到所述至少一个虚位线的时序电路,其中所述时序电路包括耦合到感测电路的至少一个下拉晶体管的堆叠,用来生成用于使能所述多个感测放大器的感测触发信号。
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