[发明专利]使用超临界溶剂在半导体基片上形成金属膜的组合物和方法有效
| 申请号： | 200880003504.1 | 申请日： | 2008-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101622376A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 马克·伊安·瓦格纳 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C23C14/14;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开用于在半导体基片上形成金属膜的组合物和方法。所公开的方法之一包括：加热该半导体基片以获得加热的半导体基片；将该加热的半导体基片暴露于组合物，该组合物包含包括至少一种配体的金属前体、过量的中性不稳定配体、超临界溶剂、和可选的至少一种B、C、N、Si、P及其混合物的源；在该加热的半导体基片处或其附近将该组合物暴露于还原剂和/或热能；从该金属前体分离该至少一种配体；和形成该金属膜，同时使得金属氧化物的形成最少。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 临界 溶剂 半导体 基片上 形成 金属膜 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体基片上形成金属膜的方法包括：加热该半导体基片以获得加热的半导体基片；将该加热的半导体基片暴露于一种组合物，该组合物含有包括至少一种配体的金属前体、过量的中性不稳定配体、超临界溶剂、和可选地至少一种B、C、N、Si、P及其混合物的源；在该加热的半导体基片处或其附近将该组合物暴露于还原剂和/或热能；从该金属前体分离该至少一种配体；和形成该金属膜同时使得金属氧化物的形成最少。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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