[发明专利]用于制备其中芳族聚合物结合到基材上的结构体的方法、含结合到导电基材上的芳族聚合物链的结构体和含该结构体的电子器件无效
申请号: | 200880003580.2 | 申请日: | 2008-02-01 |
公开(公告)号: | CN101595153A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | 田中健太;东村秀之;横泽勉;石川垒 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | C08G61/02 | 分类号: | C08G61/02;C08G61/12 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 柳春琦 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种用于有效地制备其中芳族聚合物结合到基材上的结构体的方法。还公开了其中所述基材是导电性的结构体。具体地,公开了一种用于制备结构体的方法,所述方法包括使由上述式(I)表示的芳族化合物在聚合催化剂和具有由上述式(II)表示的基团的基材的存在下缩聚的步骤。在式(1)中,Ar表示由芳环构成的二价基团;X表示卤素原子等;Y表示氧原子、硫原子、亚氨基等;n表示0或1;并且M表示氢原子、-B(OQ1)2(其中Q1表示氢原子、烃基等)等。在式(II)中,Ara表示价态为(p+1)并且由芳环构成的基团;Xa表示卤素原子或表示为-SO3Qa的一价基团(其中Qa表示取代或未取代的烃基);p表示不小于1的整数,并且当p是不小于2的整数时,多个Xa彼此可以相同或不同。 | ||
搜索关键词: | 用于 制备 其中 聚合物 结合 基材 结构 方法 导电 电子器件 | ||
【主权项】:
1.一种用于制备结构体的方法,所述结构体具有基材和结合到所述基材上的芳族聚合物,所述方法包括使由下述通式(I)表示的芳族化合物在溶剂中、在聚合催化剂和具有由下述通式(II)表示的基团的基材的存在下缩聚的步骤,[式1]
在式(I)中,Ar是包含芳环的二价基团,X是卤素原子、硝基或由-SO3Q表示的一价基团,其中Q表示取代或未取代的烃基,Y是氧原子、硫原子、亚氨基、取代的亚氨基、亚乙烯基、取代的亚乙烯基、或亚乙炔基,n为0或1,M是氢原子;-B(OQ1)2,其中两个Q1独立地表示氢原子或烃基,或结合在一起以形成环;-Si(Q2)3,其中Q2是烃基;-Sn(Q3)3,其中Q3是烃基;或-Z1(Z2)m,其中Z1是金属原子或金属离子,Z2是抗衡阴离子,并且m是0以上的整数;[式2]——Ara—(Xa)p (II)在式(II)中,Ara是价态为p+1并且包含芳环的基团,Xa是卤素原子或由-SO3Qa表示的一价基团,其中Qa表示取代或未取代的烃基,p是1以上的整数,并且当p是2以上的整数时,存在的多个Xa彼此相同或不同。
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