[发明专利]多指栅碳纳米管场效应晶体管无效
| 申请号： | 200880003634.5 | 申请日： | 2008-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101669196A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | Z·于;P·J·伯尔克;S·麦基南;D·王 | 申请（专利权）人： | 射频纳米公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种多指栅(multifinger)碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)，其中多个纳米顶栅FET沿着单一碳纳米管、对齐的纳米管的阵列、或纳米管的随机排列的长度被合并在一个指状几何体上。每个单独的FET被设置以便在单一碳纳米管上的栅极指状电极和漏极指状电极之间无几何重叠的结构，从而最小化栅极指状电极和漏极指状电极之间的米勒电容(Cgd)。低K电介质可以用来分隔多指栅CNT FET中的源极电极和栅极电极，以进一步最小化源极电极和栅极电极之间的米勒电容。 | ||
| 搜索关键词： | 多指栅碳 纳米 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种多指栅纳米管场效应晶体管，其包括：具有长度的单一纳米管，其形成于基底上；多个场效应晶体管装置，其形成于所述单一纳米管上并且并联电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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