[发明专利]成膜方法、基板处理装置和半导体装置有效

申请号：	200880004044.4	申请日：	2008-01-23
公开（公告）号：	CN101606228A	公开（公告）日：	2009-12-16
发明（设计）人：	若林哲;成嶋健索	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/285	分类号：	H01L21/285;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/52
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人：	龙淳
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明的成膜方法包括：在层间绝缘膜(520)上和接触孔(530)底部的含硅表面(512)上形成钛膜的钛膜形成工序；将该钛膜全部氮化，形成单一的氮化钛膜(550)的氮化工序；和在氮化钛膜上形成钨膜(560)的钨膜形成工序。由此，能够防止由于钛层的变质而引起的钨膜的剥离，并且能够使阻挡层比现有技术薄，并提高生产率。
搜索关键词：	方法处理装置半导体
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【主权项】：

1.一种成膜方法，其为对被处理基板进行成膜的方法，该被处理基板具有在含硅表面上形成的绝缘膜、和形成于所述绝缘膜并到达所述含硅表面的孔，该成膜方法的特征在于，包括：在所述绝缘膜上和所述孔底部的所述含硅表面上形成钛膜的钛膜形成工序；将所述钛膜全部氮化，形成单一的氮化钛膜的氮化工序；和在所述氮化钛膜上形成钨膜的钨膜形成工序。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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