[发明专利]硅提纯设备无效
| 申请号： | 200880005094.4 | 申请日： | 2008-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101646621A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 克里多夫·拉菲;罗杰·伯恩;莱昂内尔·布吉埃尔;克里多夫·吉罗尔德;弗劳伦特·莱莫特;阿曼德·博纳迪尔;帕斯卡·里瓦特;吉恩-皮埃尔·德尔·戈博;丹尼尔·德拉奇 | 申请（专利权）人： | 法国原子能委员会 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;F27B14/10;F27B14/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩 龙;阎娬斌 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于提纯硅载荷(s)的设备，包括：坩锅(5)，其包括由作为良好热导体的至少第一难熔材料制造的至少一个基底(20)；用于冷却基底的装置(26，28)；保护元件(30)，其由具有低导热性的至少第二难熔材料制造，并且设在坩锅与载荷之间；和载荷的电感加热装置(23，24)，其包括设在基底之中或之下的绕组(23)。 | ||
| 搜索关键词： | 提纯 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于提纯硅载荷(s)的设备，包括：坩锅(5)，其包括由作为良好热导体的至少第一难熔材料形成的至少一个基底(20)；用于冷却基底的装置(26，28)；保护元件(30)，其由作为不良热导体的至少第二难熔材料形成，用于插入坩锅与载荷之间；和用于通过载荷的电感加热基底的装置(23，24)，其包括布置在基底之中或之下的绕组(23)。
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