[发明专利]氮化物单晶的制造方法有效
| 申请号： | 200880005131.1 | 申请日： | 2008-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101611178A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 市村干也;今井克宏;岩井真;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗;北冈康夫 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/02;H01L21/208 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在培养容器(1)内，在含有助熔剂以及单晶原料的熔液(2)中，在晶种基板(5)上制造氮化物单晶时，在培养容器(1)内的熔液(2)的水平方向上设置温度梯度。由此，通过助熔剂法培养氮化物单晶时，抑制杂晶附着到单晶上，并且使单晶的膜厚均匀化。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物单晶的制造方法，在培养容器内，将晶种基板浸渍在含有助熔剂以及单晶原料的熔液中，而后在所述晶种基板的培养面上培养氮化物单晶，其特征在于，在所述培养容器内的所述熔液中，在水平方向上设置温度梯度。
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