[发明专利]ALN的块体单晶及其生长方法有效
| 申请号： | 200880005464.4 | 申请日： | 2008-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101680115B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | R·T·邦德科夫;K·E·摩根;L·J·肖沃尔特;G·A·斯莱克 | 申请（专利权）人： | 晶体公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了面缺陷面密度≤100cm‑2的氮化铝(AlN)块体单晶。用于生长单晶氮化铝的方法包括使铝箔熔融以便用铝层均匀地湿润基底，对于有待由于AlN生长的AlN籽晶，该基底形成AlN籽晶保持器的一部分。该保持器可基本上由基本不可渗透的背衬板构成。 | ||
| 搜索关键词： | aln 块体 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
用于生长单晶氮化铝(AlN)的方法，该方法包括以下步骤：(a)提供包含背衬板的保持器，保持器尺寸和形状经设定以在其中接纳AlN籽晶，且包括与背衬板接合的AlN基底；(b)在籽晶和AlN基底之间插入Al箔；(c)熔融Al箔以便用Al层均匀地湿润基底；(d)将AlN籽晶放置在保持器内；和(e)在适合于生长源于该籽晶的单晶AlN的条件下将铝和氮沉积到籽晶上。
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