[发明专利]等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200880005558.1 | 申请日： | 2008-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101632327A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 柴田哲司;田口典幸;中园佳幸 | 申请（专利权）人： | 松下电工株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24;B08B7/00;H01L21/304;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种等离子体处理装置(A)，其通过放电使等离子体生成用气体(G)激活，并将该被激活的等离子体生成用气体(G)喷射在待处理物(H)上进行处理。在由陶瓷烧结体构成的绝缘基板(1)上埋设导电层(2)而形成覆盖电极(3)。将多个覆盖电极(3、3…)相对置地配置，使覆盖电极(3、3)之间形成放电空间(4)。具有电源(5)，其用于对导电层(2)外加电压，使在放电空间(4)产生放电。因为不进行陶瓷材料的热喷涂，因此可以实现覆盖电极(3)的材料的低成本或制造工艺的简化。与陶瓷热喷涂的覆膜相比，陶瓷烧结体的空隙率小且致密，因此在放电时不容易发生绝缘破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，用于通过放电使等离子体生成用气体激活，并将该被激活的等离子体生成用气体喷射在待处理物上进行处理，其特征为：在由陶瓷烧结体构成的绝缘基板上埋设导电层而形成覆盖电极，并将多个覆盖电极相对置地配置而将覆盖电极之间形成为放电空间，且具有电源，其用于对导电层外加电压，使在放电空间产生放电。
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