[发明专利]磁传感器模块以及活塞位置检测装置无效
| 申请号： | 200880005914.X | 申请日： | 2008-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101632146A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 糸井和久;长洲胜文;相沢卓也;中尾知 | 申请（专利权）人： | 株式会社藤仓 |
| 主分类号： | H01H36/00 | 分类号： | H01H36/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒运朴;李 伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及磁传感器模块以及活塞位置检测装置。磁传感器模块包括：半导体基板，其具有进行开关动作的集成电路；磁阻元件，其设置在该半导体基板的一个面上，且在沿着该一个面的方向上具有感磁方向；偏置磁场施加部件，其设置在所述半导体基板上、且配置在与所述一个面平行的面上，所述偏置磁场施加部件，在沿着配置该偏置磁场施加部件的所述面的方向上被磁化，在未施加外部磁场的状态下，该偏置磁场施加部件在沿着设置了所述磁阻元件的所述一个面的方向上施加偏置磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 模块 以及 活塞 位置 检测 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器模块，包括：半导体基板，其具有进行开关动作的集成电路；磁阻元件，其设置在该半导体基板的一个面上，且在沿着该一个面的方向上具有感磁方向；偏置磁场施加部件，其设置在所述半导体基板上，且配置在与所述一个面平行的面上，所述偏置磁场施加部件，在沿着配置了该偏置磁场施加部件的所述面的方向上被磁化，在未施加外部磁场的状态下，该偏置磁场施加部件在沿着设置了所述磁阻元件的所述一个面的方向上施加偏置磁场。
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