[发明专利]制备导电薄膜的方法和由该方法制得的制品无效
| 申请号： | 200880006048.6 | 申请日： | 2008-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101636436A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 卡尔·费尔班克;马克·费舍尔 | 申请（专利权）人： | 道康宁公司 |
| 主分类号： | C08J5/00 | 分类号： | C08J5/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种自由立膜，包括：i.基体层，其具有相对的表面，和ii.纳米棒阵列，其中纳米棒定向的穿过基体层并从基体层的一个或两个表面伸出至少1微米的距离。一种制备自由立膜的方法，包括：(a)在基底上提供纳米棒阵列，任选的，(b)用牺牲层渗透该阵列；(c)用基体层渗透该阵列，由此产生渗透的阵列；任选的，(d)当步骤(b)存在时，除去牺牲层，保留基体层；和(e)将渗透的阵列从基底平面上移除。根据所选用纳米棒的类型和密度，自由立膜可以用于作为滤光片、ACF、或TIM。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 导电 薄膜 方法 法制 制品 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：(a)在基底上提供纳米棒阵列，任选的，(b)用牺牲层渗透该阵列；(c)用基体层渗透该阵列，由此产生渗透的阵列；任选的，(d)当步骤(b)存在时，除去牺牲层，保留基体层；和(e)将渗透的阵列从基底平面上移除，以形成自由立膜，其中基体层具有正反相对的表面，纳米管定向排列，穿过基体层，并从基体层的一个或正反两个相对的表面上伸出至少1微米的距离。
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