[发明专利]用于磁共振的双谐振高磁场射频表面线圈无效

专利信息
申请号: 200880006133.2 申请日: 2008-01-30
公开(公告)号: CN101790693A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: Z·翟;M·A·莫里希;G·D·德梅斯泰 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G01R33/341 分类号: G01R33/341;G01R33/36;G01R33/422
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 赵腾飞;王英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种射频线圈,包括一个环形导体或平行的多个环形导体(22、22c、22d),其被配置为支持:(i)均匀电流分布,其产生指向一个或多个环形导体的平面外的、在第一磁共振频率处的第一B1场(B1,uniform),以及(ii)正弦电流分布,其产生平行于一个或多个环形导体的平面的、在第二磁共振频率处的第二B1场(B1,sine)。一种磁共振扫描器,包括:磁体(10),其产生静态磁场(B0);磁场梯度系统(14),其被配置为将选定的磁场梯度叠加到所述静态磁场上;以及所述射频线圈,其包括所述环形导体或平行的多个环形导体(22、22C、22d)。
搜索关键词: 用于 磁共振 谐振 磁场 射频 表面 线圈
【主权项】:
一种大体上平面形的射频线圈,包括:一个或两个环形导体(22、22c、22d),其被布置为大体上与所述大体上平面形的射频线圈的线圈平面平行,并被配置为支持:(i)均匀电流分布,其产生指向所述线圈平面外的、在第一磁共振频率处的第一B1场(B1,uniform),以及(ii)正弦电流分布,其产生平行于所述线圈平面的、在第二磁共振频率处的第二B1场(B1,sine)。
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