[发明专利]借助多层生长导向器的直径导向式SiC升华生长无效
| 申请号： | 200880006182.6 | 申请日： | 2008-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101680112A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 伊利娅·茨维巴克;阿维纳什·K·古普塔;爱德华·西门纳斯;托马斯·E·安德森 | 申请（专利权）人： | II-VI有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B35/00;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁业平;张天舒 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在生长SiC晶棒时，在生长用坩埚内设置生长导向器，其中所述坩埚的底部装有SiC源材料，而所述坩埚的顶部装有SiC籽晶。所述生长导向器具有内层和外层，其中所述内层限定了所述生长导向器中的开孔的至少一部分，并且所述外层在坩埚内支承着所述内层。所述开孔朝向源材料，而所述籽晶放置于所述开孔的与所述源材料相对的一端。所述内层由第一材料形成，并且所述外层由不同的第二材料形成，其中所述第一材料的导热率高于所述第二材料的导热率。使所述源材料通过所述生长导向器中的所述开孔、升华生长在所述生长用坩埚内的所述籽晶上，从而在所述籽晶上形成SiC晶棒。 | ||
| 搜索关键词： | 借助 多层 生长 导向 直径 sic 升华 | ||
【主权项】：
1.一种SiC晶棒生长方法，包括：(a)在生长用坩埚内设置生长导向器，所述坩埚的底部装有SiC源材料，而所述坩埚的顶部装有SiC籽晶，所述生长导向器具有内层和外层，所述内层限定了所述生长导向器中的开孔的至少一部分，并且所述外层在所述坩埚内支承着所述内层，所述开孔朝向所述源材料，而所述籽晶放置于所述开孔的与所述源材料相对的一端，其中所述内层由第一材料形成，并且所述外层由不同于所述第一材料的第二材料形成，其中所述第一材料的导热率高于所述第二材料的导热率；以及(b)使所述源材料通过所述生长导向器中的所述开孔、升华生长在所述生长用坩埚内的所述籽晶上，从而在所述籽晶上形成SiC晶棒。
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