[发明专利]等离子体处理装置的清洗方法、执行该清洗方法的等离子体处理装置以及储存执行该清洗方法的程序的存储介质无效
| 申请号： | 200880006209.1 | 申请日： | 2008-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN101622692A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 吹上纪明;河本慎二;高场裕之;石桥清隆 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/3065;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 伟;舒艳君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置的清洗方法，在能够抽真空的处理容器(32)内对被处理体(W)使用等离子体实施等离子体处理，具有：第一清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为第一压力而进行清洗；第二清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为比第一压力高的第二压力而进行清洗。这样，就可以对处理容器的内壁面或处理容器内的构件不造成损伤地、有效并且迅速地进行清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 清洗 方法 执行 以及 储存 程序 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置的清洗方法，在能够抽真空的处理容器内对被处理体使用等离子体实施等离子体处理，具有：第一清洗工序，在向所述处理容器内供给清洗气体，并产生等离子体，将所述处理容器内维持为第一压力而进行清洗；第二清洗工序，在向所述处理容器内供给清洗气体，并产生等离子体，将所述处理容器内维持为比所述第一压力高的第二压力而进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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