[发明专利]半导体器件制造方法以及半导体器件制造设备有效
| 申请号： | 200880006286.7 | 申请日： | 2008-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101627459A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 畠中正信;津曲加奈子;石川道夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;C23C16/34;H01L21/28;H01L21/318;H01L21/3205;H01L23/52 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 | 代理人： | 段迎春 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种改进金属保护层可靠性和生产率的半导体器件制造方法，该方法包括将绝缘层(11)叠加在包括元件区(2b)的半导体基板(2)上的绝缘层步骤，在所述绝缘层(11)中形成凹槽(12)的凹槽步骤，将金属层(13)嵌入到所述凹槽(12)中的金属层步骤，将所述绝缘层(11)的表面和所述金属层(13)的表面平坦化以使两者彼此基本平齐的平坦化步骤，以及在平坦化步骤之后，在所述绝缘层(11)的所述表面和所述金属层(13)的所述表面上形成至少包含锆元素和氮元素的金属保护层(16)的金属保护层步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，包括：将绝缘层叠加在包括元件区的半导体基板上的绝缘层步骤；在所述绝缘层中形成凹槽的凹槽步骤；将金属层嵌入到所述凹槽中的金属层步骤；将所述绝缘层的表面和所述金属层的表面平坦化以使两者彼此基本平齐的平坦化步骤；以及在所述平坦化步骤之后，在所述绝缘层的所述表面和所述金属层的所述表面上形成至少包含锆元素和氮元素的金属保护层的金属保护层步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
