[发明专利]无定形碳膜的形成方法、无定形碳膜、多层抗蚀剂膜、半导体装置的制造方法和计算机可读取的存储介质无效
| 申请号： | 200880006410.X | 申请日： | 2008-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN101622693A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 石川拓;村井唯一;森崎英介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 伟;舒艳君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种无定形碳膜的形成方法。该方法使用在处理容器内配置了上部电极和下部电极的平行平板型等离子体CVD装置，并且具有在下部电极上配置基板的步骤；和在向处理容器内供给一氧化碳和惰性气体的同时，至少对上部电极施加高频电力，产生等离子体，通过把一氧化碳分解，在基板上堆积无定形碳，而成膜的步骤。并且理想的是，上部电极是碳电极。 | ||
| 搜索关键词： | 无定形碳 形成 方法 多层 抗蚀剂膜 半导体 装置 制造 计算机 读取 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种无定形碳膜的形成方法，其具有：在处理容器内配置基板的步骤；向上述处理容器内供给含有一氧化碳气体的处理气体的步骤；及在上述处理容器内，通过把上述一氧化碳气体分解，在基板上堆积无定形碳的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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