[发明专利]光电变换装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200880006731.X | 申请日： | 2008-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101622719A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 小林靖之;坂井智嗣;山口贤刚;浅原裕司;吴屋真之 | 申请（专利权）人： | 三菱重工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 高培培;车 文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够以低成本获得更高性能的光电变换装置及其制造方法。具备被层叠的至少二层光电变换层、和介于所述二层光电变换层之间且对该二层光电变换层进行电连接及光学连接的中间层(93)的光电变换装置(90)，在所述中间层(93)表面上具有等离子体抗性保护层(93A)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 变换 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电变换装置，具备：被层叠的至少二层光电变换层、和介于所述二层光电变换层之间且对该二层光电变换层进行电连接及光学连接的中间层，所述光电变换装置中，在所述中间层的表面上具有等离子体抗性保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
