[发明专利]在金属硅化物微晶体上形成纳米结构的方法和得到的结构和器件无效
| 申请号： | 200880006799.8 | 申请日： | 2008-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101622193A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | N·科巴亚施;S·-Y·王 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;李家麟 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及用于在非单晶体基底上形成纳米结构的方法和结果产生的结构和纳米级功能器件。一种用于形成纳米结构的方法包括：形成包括金属层(100)和硅层(104)的多层结构(106)；将所述多层结构(106)进行热处理以形成金属硅化物微晶(110)；并且在所述金属硅化物微晶上生长所述纳米结构(114)。在本发明的另一个实施例中，一种结构包括：非单晶体基底(102)；在所述非单晶体基底(102)上形成的层(108)，所述层包括金属硅化物微晶(110)；以及在所述金属硅化物微晶(110)上形成的多个纳米结构(114)。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 化物微 晶体 形成 纳米 结构 方法 得到 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成纳米结构的方法，包括：形成包括金属层(100)和硅层(104)的多层结构(106)；使所述多层结构(106)经受热处理以形成金属硅化物微晶体(110)；并且在所述金属硅化物微晶体(110)上生长所述纳米结构(114)。
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