[发明专利]等离子蚀刻过渡金属氧化物的方法无效
| 申请号： | 200880006814.9 | 申请日： | 2008-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN101657567A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | U·瑞格胡里姆;M·W·孔恩伊维基 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | C23F1/00 | 分类号： | C23F1/00;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种使用一氧化碳作为主要源气体，等离子蚀刻过渡金属氧化物薄膜的方法。其允许在环境温度下不用加热即可发生羰基化学反应。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 蚀刻 过渡 金属 氧化物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，其包括过基于一氧化碳的过渡金属氧化物的等离子蚀刻。
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