[发明专利]用于自旋转移力矩磁阻随机存取存储器的读取干扰减少电路有效
| 申请号： | 200880007204.0 | 申请日： | 2008-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101627435A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 杨赛森;升·H·康;迈赫迪·哈米迪·萨尼 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示用于减少自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)中的读取干扰的系统、电路和方法。可在读取操作期间使用电阻性元件来控制读取电流且控制读取干扰。可在写入操作期间使用隔离元件来使所述电阻性元件与所述电路隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 自旋 转移 力矩 磁阻 随机存取存储器 读取 干扰 减少 电路 | ||
【主权项】：
1.一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)，其包括：位单元，其耦合到位线和源极线；以及电阻性元件，其在所述位线中插入在所述位单元与读出放大器之间。
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