[发明专利]双折射薄膜、层压薄膜和图像显示装置无效
申请号: | 200880007623.4 | 申请日: | 2008-03-03 |
公开(公告)号: | CN101627325A | 公开(公告)日: | 2010-01-13 |
发明(设计)人: | 松田祥一;宫崎顺三;井上彻雄 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30;G02F1/13363;C09K19/34 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种双折射薄膜,其折射率椭球体满足nx≥nz>ny的关系,薄且轻量,进而具有期望的Nz系数。本发明的双折射薄膜含有显示出溶致液晶性的第1苊并[1,2-b]喹喔啉衍生物和显示出溶致液晶性的第2苊并[1,2-b]喹喔啉衍生物,折射率椭球体满足nx≥nz>ny的关系。该双折射薄膜的Nz系数优选为0~0.5。 | ||
搜索关键词: | 双折射 薄膜 层压 图像 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种双折射薄膜,其含有显示出溶致液晶性且由下述通式(X1)表示的第1苊并[1,2-b]喹喔啉衍生物和显示出溶致液晶性且由下述通式(Y1)表示的第2苊并[1,2-b]喹喔啉衍生物,折射率椭球体满足nx≥nz>ny的关系,
其中,式(X1)和式(Y1)中,A各自独立地表示选自-COOM、-SO3M、-PO3M、-OM、-NH2和-CONH2的取代基,其中,M为抗衡离子;a表示A的取代数,为1~3的整数;B各自独立地表示选自卤素原子、-COOM、-SO3M、-PO3M、-OM、-NH2、-NO2、-CF3、-CN、-OCN、-SCN、-CONH2、-OCOCH3、-NHCOCH3、碳原子数1~4的烷基和碳原子数1~4的烷氧基的取代基,其中,M为抗衡离子;b表示B的取代数,为0~4的整数。
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