[发明专利]双折射薄膜、层压薄膜和图像显示装置无效

专利信息
申请号: 200880007623.4 申请日: 2008-03-03
公开(公告)号: CN101627325A 公开(公告)日: 2010-01-13
发明(设计)人: 松田祥一;宫崎顺三;井上彻雄 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30;G02F1/13363;C09K19/34
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种双折射薄膜,其折射率椭球体满足nx≥nz>ny的关系,薄且轻量,进而具有期望的Nz系数。本发明的双折射薄膜含有显示出溶致液晶性的第1苊并[1,2-b]喹喔啉衍生物和显示出溶致液晶性的第2苊并[1,2-b]喹喔啉衍生物,折射率椭球体满足nx≥nz>ny的关系。该双折射薄膜的Nz系数优选为0~0.5。
搜索关键词: 双折射 薄膜 层压 图像 显示装置
【主权项】:
1.一种双折射薄膜,其含有显示出溶致液晶性且由下述通式(X1)表示的第1苊并[1,2-b]喹喔啉衍生物和显示出溶致液晶性且由下述通式(Y1)表示的第2苊并[1,2-b]喹喔啉衍生物,折射率椭球体满足nx≥nz>ny的关系,其中,式(X1)和式(Y1)中,A各自独立地表示选自-COOM、-SO3M、-PO3M、-OM、-NH2和-CONH2的取代基,其中,M为抗衡离子;a表示A的取代数,为1~3的整数;B各自独立地表示选自卤素原子、-COOM、-SO3M、-PO3M、-OM、-NH2、-NO2、-CF3、-CN、-OCN、-SCN、-CONH2、-OCOCH3、-NHCOCH3、碳原子数1~4的烷基和碳原子数1~4的烷氧基的取代基,其中,M为抗衡离子;b表示B的取代数,为0~4的整数。
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