[发明专利]具有两个独立栅极的鳍片场效应管以及制造它的方法

摘要

鳍片场效应管(100)包括单晶有源半导体层(104)的鳍形层区域(116)，所述鳍形层区域在绝缘衬底层上(106)沿纵向鳍片方向上从单晶有源半导体层(104)的源极层区域(122)延伸到漏极层区域(124)。此外，提供两个分离的栅电极层(138.1，138.2)，所述栅电极层不形成单晶有源半导体层(104)的区域，每一个栅电极层面对鳍形层区域(116)两个相对侧面的其中一个。每一个栅电极层与分开的栅接触极(154，156)相连。从一个垂直于纵向的鳍片方向的平面的剖面图来看，栅电极层被置于衬底(106)上，位于单晶有源半导体层(104)的鳍形层区域的相应侧面与相应接触电柱层区域(118，120)之间。

主权项

一鳍片场效应管(100，300)，(FinFET)，包括：-单晶有源半导体层(104)的鳍形层区域(116)，所述鳍形层区域在绝缘衬底层上(106)沿纵向鳍片方向上从单晶有源半导体层(104)的源极层区域(122)延伸到漏极层区域(124)；-栅绝缘层(116.1，116.2)，被置于在鳍形层区域(116)相反的两侧；以及-两个分离的栅电极层(138.1，138.2)，所述栅电极层不形成单晶有源半导体层(104)的区域，每一个栅电极层面对鳍形层区域(116)两个相对侧面的其中一个；每一个栅电极层与相应分离的栅接触极(154，156)相连；从一个垂直于纵向的鳍片方向的平面的剖面图来看，每一个栅电极层被置于衬底层(106)上，位于单晶有源半导体层(104)的鳍形层区域的相应侧面与相应接触电柱层区域(118，120)之间。