[发明专利]用于蚀刻半导体结构的具有脉冲反应气体补充的脉冲等离子体系统无效
| 申请号： | 200880008116.2 | 申请日： | 2008-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN101636822A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 金泰元;李庆泰;亚历山大·帕特森;瓦伦丁·N·托多罗夫;沙尚克·C·德斯穆克 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;钟 强 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述一种用于蚀刻半导体结构的具有脉冲反应气体补充的脉冲等离子体系统。在一个实施例中，利用脉冲等离子体处理而移除一部分的样品。脉冲等离子体处理包括多个工作周期，其中各个工作周期代表等离子体的开启状态及关闭状态的组合。等离子体由反应气体产生，且其中反应气体在等离子体的关闭状态下补充，但在开启状态下不补充。在另一个实施例中，通过应用连续等离子体处理以移除样品的第一部分，接着连续等离子体处理停止，并通过应用具有脉冲反应气体补充的脉冲等离子体处理以移除样品的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 半导体 结构 具有 脉冲 反应 气体 补充 等离子体 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于蚀刻样品的方法，包括：通过应用脉冲等离子体处理而移除所述样品的一部分，其中，所述脉冲等离子体处理包括多个工作周期(duty cycle)，其中各个所述工作周期代表等离子体的开启(ON)状态及关闭(OFF)状态的组合，其中所述等离子体由反应气体产生，且其中所述反应气体在所述等离子体的所述关闭状态过程中补充，而不在所述等离子体的所述开启状态过程中补充。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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