[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 200880008447.6 申请日: 2008-12-25
公开(公告)号: CN101632068A 公开(公告)日: 2010-01-20
发明(设计)人: 矢野浩邦;菅野伸一;檜田敏克;松崎秀则;橘内和也;浅野滋博 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G06F12/00 分类号: G06F12/00;G06F3/06;G06F3/08;G06F12/02;G06F12/04;G06F12/08;G11C16/02
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;于 静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体存储装置包括:配置在易失性半导体存储器中的第一存储器区11、配置在非易失性半导体存储器中的第二和第三存储器区12和13、以及执行下面的处理的控制器10。控制器10执行:第一处理,用于通过第一单位将多个数据存储在所述第一存储器区中;第二处理,用于通过第一管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第二存储器区中;以及第三处理,用于通过第二管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第三存储器区中。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,包括:配置在易失性半导体存储器中的第一存储器区,其通过第一单位或更小单位执行数据写入,所述第一单位是对所述半导体存储装置的存取单位;配置在非易失性半导体存储器中的第二存储器区和第三存储器区,其通过第二单位执行数据写入,并通过第三单位执行数据擦除,所述第三单位是所述第二单位的两倍或更大的自然数倍;以及控制器,其执行:第一处理,用于通过所述第一单位将多个数据存储在所述第一存储器区中;第二处理,用于通过第一管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第二存储器区中,所述第一管理单位是所述第一单位的两倍或更大的自然数倍且小于所述第三单位;以及第三处理,用于通过第二管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第三存储器区中,所述第二管理单位是所述第一管理单位的两倍或更大的自然数倍。
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