[发明专利]纳米级离子贮存材料无效
| 申请号： | 200880009462.2 | 申请日： | 2008-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN101669234A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | Y-M·蒋;A·S·高德兹;M·W·佩恩 | 申请（专利权）人： | A123系统公司 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;C01B25/45 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李 帆 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了纳米级离子贮存材料，该材料表现出与其较大尺度的对应物显著不同的独特性能。例如，该纳米级材料可表现出提高的电子传导率、改善的电机械稳定性、提高的插层率和/或扩展的固溶体范围。有用的纳米级材料包括碱过渡金属磷酸盐，例如LiMPO4，其中M为一种或多种过渡金属。该纳米级离子贮存材料用于制备例如高能及高功率蓄电池、电池-电容器混合装置、和高倍率电致变色装置。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 离子 贮存 材料 | ||
【主权项】：
1.锂过渡金属磷酸盐粉末，其具有至少15m2/g的比表面积并且其在室温(23℃)下的锂含量比以块体形式或以比表面积小于约10m2/g的粉末形式制备的相同组成的锂过渡金属磷酸盐的锂含量小至少2摩尔％。
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