[发明专利]外延膜、压电元件、铁电元件、它们的制造方法以及液体排出头有效
| 申请号： | 200880009802.1 | 申请日： | 2008-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101641806A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 林润平;松田坚义;福井哲朗;舟洼浩 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社;国立大学法人东京工业大学 |
| 主分类号： | H01L41/09 | 分类号： | H01L41/09;H01L41/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王 健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了外延膜，其包括：加热Si衬底，在该衬底的表面上设置有具有1.0nm～10nm膜厚的SiO2层；和通过使用由以下组成式(1)表示的金属靶在该SiO2层上形成由以下组成式(2)表示的外延膜：yA(1-y)B (1)，其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元素，B为Zr，且y为0.03～0.20的数值，xA2O3-(1-x)BO2 (2)，其中A和B为分别与组成式(1)的A和B相同的元素，且x为0.010～0.035的数值。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 压电 元件 它们 制造 方法 以及 液体 出头 | ||
【主权项】：
1.外延膜的制造方法，包括：加热Si衬底，该衬底的表面上设置有具有1.0nm～10nm膜厚的SiO2层；和通过使用由以下组成式(1)表示的金属靶在该SiO2层上形成由以下组成式(2)表示的外延膜：yA(1-y)B (1)，其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元素，B为Zr，且y为0.03～0.20的数值，xA2O3-(1-x)BO2 (2)，其中A和B为分别与组成式(1)中的A和B相同的元素，且x为0.010～0.035的数值。
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