[发明专利]等离子体处理装置的干式清洁方法有效
申请号: | 200880009987.6 | 申请日: | 2008-05-28 |
公开(公告)号: | CN101647099A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 植田昌久;小风丰;远藤光广;邹红罡 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L41/187;H01L21/8246;H01L41/22;H01L27/105 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王 琦;王珍仙 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种等离子体处理装置的干式清洁方法,所述等离子体处理装置包括:具备电介质部件的真空容器,设置在上述电介质部件的外侧的平面电极和高频天线,和通过分别对这些高频天线和平面电极供给高频功率、通过上述电介质部件将高频功率输入到上述真空容器内且产生感应耦合等离子体的高频电源,所述方法包括:将含氟气体导入到上述真空容器内的同时,利用上述高频电源将高频功率输入到上述真空容器内使上述含氟气体产生感应耦合等离子体的工序;和利用该感应耦合等离子体除去附着在上述电介质部件上的含有贵金属和强电介质中的至少一方的生成物的工序。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 清洁 方法 | ||
【主权项】:
1、一种等离子体处理装置的干式清洁方法,所述等离子体处理装置包括:真空容器,具备电介质部件,平面电极和高频天线,设置在所述电介质部件的外侧,和高频电源,用于通过分别对所述高频天线和所述平面电极供给高频功率、通过所述电介质部件将高频功率输入到所述真空容器内产生感应耦合等离子体,其特征在于,所述方法包括:将含氟气体导入到所述真空容器内的同时,利用所述高频电源将高频功率输入到所述真空容器内使所述含氟气体产生感应耦合等离子体的工序;和利用该感应耦合等离子体除去附着在所述电介质部件上的含有贵金属和强电介质中的至少一方的生成物的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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