[发明专利]有机薄膜晶体管基板及其制造方法、以及图像显示面板及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200880010127.4 申请日: 2008-03-25
公开(公告)号: CN101647320A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 笠原健司 申请(专利权)人: 住友化学株式会社
主分类号: H05B33/10 分类号: H05B33/10;G09F9/00;G09F9/30;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/12;H05B33/22
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱 丹
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种具有作为晶体管元件的有机薄膜晶体管的有机薄膜晶体管基板的制造方法,以提供可用更少工序形成堤坝的制造方法为目的。根据本发明的有机薄膜晶体管基板的制造方法,其中该有机薄膜晶体管基板在基板上的第1区域形成有机薄膜晶体管,具有与第1区域邻接并用于形成发光元件的第2区域,在第2区域的周边部形成了堤坝部,该制造方法包括:第1工序,在基板上的第1区域形成有机薄膜晶体管,同时一直到第2区域都形成此有机薄膜晶体管所具有的栅绝缘层及有机半导体层中的至少一层,在第2区域上形成由形成在该区域上的叠层结构构成的堤坝前驱体层;以及第2工序,去除堤坝前驱体层中的周边部以外的区域,形成由残存的堤坝前驱体层构成的堤坝部。
搜索关键词: 有机 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 图像 显示 面板
【主权项】:
1、一种有机薄膜晶体管基板的制造方法,其中,上述有机薄膜晶体管基板在基板上的第1区域形成有机薄膜晶体管,具有与上述第1区域邻接并用于形成发光元件的第2区域,在上述第2区域的周边部形成堤坝部;该制造方法包括:第1工序,在上述基板上的上述第1区域形成有机薄膜晶体管,其中,上述有机薄膜晶体管至少包括:栅电极、栅绝缘层、相对于该栅绝缘层的上述栅电极形成在相反侧的源电极及漏电极、以及与相对于上述栅绝缘层的上述栅电极形成在相反侧的上述源电极及上述漏电极双方相连的有机半导体层;并且在该第1工序中,一直到上述第2区域都形成上述栅绝缘层及上述有机半导体层中的至少一层,并在上述第2区域形成由形成在该区域上的叠层结构构成的堤坝前驱体层;以及第2工序,有选择地去除上述堤坝前驱体层中的上述周边部以外的区域,形成由残存的上述堤坝前驱体层构成的上述堤坝部。
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