[发明专利]三维交叉杆阵列系统以及用于向三维交叉杆阵列结写信息和读取在其中存储的信息的方法有效
申请号: | 200880010559.5 | 申请日: | 2008-03-21 |
公开(公告)号: | CN101647117A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | W·吴;S·R·威廉斯;W·罗比内特;G·斯奈德;Z·于;S·王;D·斯图尔特 | 申请(专利权)人: | 惠普开发有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L27/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;蒋 骏 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的各种实施例针对三维交叉杆阵列(500、1000)。在本发明的一个方面,三维交叉杆阵列(1000)包含多个交叉杆阵列(1102-1104)、第一多路分离器(1106)、第二多路分离器(1108)和第三多路分离器(1110)。每个交叉杆阵列包含第一层纳米线(702-704)、叠加在第一层纳米线上的第二层纳米线(706-708)和叠加在第二层纳米线上的第三层纳米线(710-712)。第一多路分离器配置成寻址每个交叉杆阵列的第一层纳米线中的纳米线,第二多路分离器配置成寻址每个交叉杆阵列的第二层纳米线中的纳米线,并且第三多路分离器配置成向每个交叉杆阵列的第三层纳米线中的纳米线提供信号。 | ||
搜索关键词: | 三维 交叉 阵列 系统 以及 用于 信息 读取 其中 存储 方法 | ||
【主权项】:
1.一种可配置的三维交叉杆阵列系统(1000),包括:多个交叉杆阵列(1102-1104),每个交叉杆阵列包含第一层纳米线(702-704)、叠加在所述第一层纳米线上的第二层纳米线(706-708)、叠加在所述第二层纳米线上的第三层纳米线(710-712),以及位于三个叠加纳米线的交叉处的交叉杆结(810);第一多路分离器(1106),配置成寻址每个交叉杆阵列的所述第一层纳米线中的至少一部分纳米线;第二多路分离器(1108),配置成寻址每个交叉杆阵列的所述第二层纳米线中的至少一部分纳米线;以及第三多路分离器(1110),配置成向每个交叉杆阵列的所述第三层纳米线中的至少一部分纳米线提供信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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