[发明专利]等离子加工设备有效
| 申请号： | 200880010562.7 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101647101A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 岩崎征英 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/205;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 田军锋;魏金霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种等离子加工设备，其包括容纳要进行预定的等离子加工的基体且可以被排放至减小的压力的加工腔体；微波发生器，其产生用于形成等离子体的微波；导波管，其将微波从微波发生器传输到加工腔体；导波管/同轴管转换器，其连接到导波管的一端；同轴管，其形成微波从导波管-同轴管转换器传输到加工腔体所要通过的线路。同轴管的内部导体具有中空部分；和第一加工气体供应部分，其通过同轴管的内部导体的中空部分将加工气体提供给加工腔体。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 加工 设备 | ||
【主权项】：
1.一种利用等离子加工基体的等离子加工设备，所述等离子加工设备包括：加工腔体，其容纳要进行预定的等离子加工的基体，且可以被排放至减小的压力；微波发生器，其产生用于形成等离子体的微波；导波管，其将微波从微波发生器传输到加工腔体；导波管/同轴管转换器，其连接到导波管的一端；同轴管，其形成微波从导波管-同轴管转换器传输到加工腔体所要通过的线路，其中，同轴管的内部导体具有中空部分；和第一加工气体供应部分，其通过同轴管的内部导体的中空部分将加工气体提供给加工腔体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
